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第5章: 実材料のフォノン

学習目標

  • 金属、半導体、絶縁体における特徴的なフォノン特性を理解する
  • フォノン測定の主要な実験手法(中性子散乱、ラマン分光、赤外分光)を学ぶ
  • 第一原理計算によるフォノン計算の基礎を理解する
  • Phonopyを使った実践的なフォノン計算を実行できるようになる
  • フォノンが熱伝導、超伝導などの物性に与える影響を理解する

1. イントロダクション

これまでの章では、フォノンの理論的基礎を学んできました。本章では、実際の材料におけるフォノンの振る舞いと、 それを測定・計算する手法について学びます。材料の種類(金属、半導体、絶縁体)によって、フォノン特性は大きく異なり、 それが材料の熱的・電気的・機械的性質を決定します。

本章の構成

第1部では代表的な材料のフォノン特性を、第2部では実験手法を、第3部では計算手法を扱います。 最後に、フォノンが実際の材料物性にどのように影響するかを議論します。

2. 金属のフォノン特性

2.1 単純金属(Al, Cu)

面心立方構造(fcc)を持つアルミニウム(Al)や銅(Cu)などの単純金属は、フォノン研究の古典的な対象です。 これらの金属は、比較的単純なフォノン分散関係を示します。

特徴的な性質

  • 高対称性: fcc構造により、高い結晶対称性を持つ
  • 音響分枝の優勢: 単原子基底のため光学分枝は存在しない
  • 電子-フォノン結合: 自由電子がフォノンと強く相互作用
  • Kohn異常: フェルミ面近傍で分散関係に特異性が現れる

アルミニウムのフォノン分散

Alのフォノン分散は以下の特徴を持ちます:

# Alのフォノン分散の典型的な特徴
import numpy as np
import matplotlib.pyplot as plt

# 簡略化されたモデル(実際の計算ではDFTを使用)
def aluminum_phonon_dispersion():
    """
    アルミニウムのフォノン分散の概略図
    """
    # 高対称点
    k_points = np.linspace(0, 1, 100)

    # 音響分枝(縦波)
    omega_LA = 8.0 * np.sin(np.pi * k_points / 2)

    # 音響分枝(横波、縮退)
    omega_TA1 = 5.5 * np.sin(np.pi * k_points / 2)
    omega_TA2 = omega_TA1  # 対称性により縮退

    plt.figure(figsize=(10, 6))
    plt.plot(k_points, omega_LA, 'b-', linewidth=2, label='LA')
    plt.plot(k_points, omega_TA1, 'r-', linewidth=2, label='TA')

    plt.xlabel('波数 k (Γ → X)', fontsize=12)
    plt.ylabel('角振動数 ω (THz)', fontsize=12)
    plt.title('アルミニウムのフォノン分散(概略)', fontsize=14)
    plt.legend()
    plt.grid(True, alpha=0.3)
    plt.tight_layout()
    plt.savefig('al_phonon_dispersion.png', dpi=150)
    plt.show()

# 実行
aluminum_phonon_dispersion()

Kohn異常

金属中の自由電子とフォノンの相互作用により、特定の波数でフォノン分散曲線に異常(屈曲点)が現れます。 これはKohn異常と呼ばれ、フェルミ波数 \(2k_F\) の近傍で顕著です:

$$ \omega(\mathbf{q}) \sim |\mathbf{q} - 2\mathbf{k}_F|^{1/2} $$

2.2 銅のフォノン特性

銅(Cu)もfcc構造を持ちますが、Alよりも重い原子量(63.5 vs 27)のため、フォノン振動数は低くなります。 また、d電子の影響により、電子-フォノン結合がより複雑になります。

AlとCuのフォノン特性比較

物性 アルミニウム(Al) 銅(Cu)
結晶構造 fcc fcc
原子量 27 63.5
デバイ温度 428 K 343 K
最大フォノン振動数 ~9 THz ~7 THz
熱伝導率(室温) 237 W/(m·K) 401 W/(m·K)
電子-フォノン結合 中程度 比較的強い

3. 半導体のフォノン特性

3.1 シリコン(Si)

シリコンは、ダイヤモンド構造(fcc格子に2原子基底)を持つ代表的な半導体です。 2原子基底のため、音響分枝(3本)に加えて光学分枝(3本)が存在します。

シリコンのフォノン分散の特徴

  • 6本の分枝: 3本の音響分枝(LA, TA1, TA2)+ 3本の光学分枝(LO, TO1, TO2)
  • バンドギャップ: 音響分枝と光学分枝の間に振動数ギャップが存在
  • LO-TO分裂: Γ点でLOとTOモードが分裂(イオン性が弱いため小さい)
  • ラマン活性: Γ点のLOモード(~15.5 THz)がラマン活性
# Siのフォノン特性を表示
def silicon_phonon_properties():
    """
    シリコンの主要なフォノンモード
    """
    phonon_modes = {
        'Γ点のLOモード': {
            'frequency': 15.53,  # THz
            'wavenumber': 520,   # cm^-1
            'activity': 'ラマン活性',
            'symmetry': 'F2g'
        },
        'Γ点のTOモード': {
            'frequency': 15.53,  # THz (LOと縮退)
            'wavenumber': 520,   # cm^-1
            'activity': 'ラマン活性',
            'symmetry': 'F2g'
        },
        'TAモード(X点)': {
            'frequency': 4.50,   # THz
            'wavenumber': 150,   # cm^-1
            'activity': '非活性',
            'symmetry': None
        },
        'LAモード(X点)': {
            'frequency': 12.32,  # THz
            'wavenumber': 410,   # cm^-1
            'activity': '非活性',
            'symmetry': None
        }
    }

    print("シリコンの主要なフォノンモード")
    print("=" * 60)
    for mode, props in phonon_modes.items():
        print(f"\n{mode}:")
        for key, value in props.items():
            print(f"  {key}: {value}")

    # デバイ温度の計算(簡略版)
    theta_D = 645  # K
    print(f"\nデバイ温度: {theta_D} K")
    print(f"室温(300K)でのフォノン占有数: {1/(np.exp(theta_D/300) - 1):.3f}")

# 実行
silicon_phonon_properties()

3.2 化合物半導体(GaAs)

ガリウムヒ素(GaAs)は、閃亜鉛鉱構造を持つIII-V族化合物半導体です。 SiとのHON的な違いは、イオン性の存在により、LO-TO分裂が顕著になることです。

GaAsの特徴的性質

  • イオン性結合: GaとAsの電気陰性度差により部分的なイオン性
  • 大きなLO-TO分裂: Γ点でLOモード(8.8 THz)とTOモード(8.0 THz)が分離
  • 誘電異方性: 縦波と横波で誘電率が異なる
  • 極性光学フォノン散乱: 電子移動度に大きく影響

Lyddane-Sachs-Teller関係式

LO-TO分裂と誘電率の関係:

$$ \frac{\omega_{LO}^2}{\omega_{TO}^2} = \frac{\varepsilon_0}{\varepsilon_\infty} $$

ここで、\(\varepsilon_0\)は静的誘電率、\(\varepsilon_\infty\)は高周波誘電率

Si vs GaAsフォノン比較

物性 Si GaAs
結晶構造 ダイヤモンド 閃亜鉛鉱
LO振動数(Γ点) 15.53 THz (520 cm⁻¹) 8.75 THz (292 cm⁻¹)
TO振動数(Γ点) 15.53 THz (520 cm⁻¹) 8.03 THz (268 cm⁻¹)
LO-TO分裂 ~0 cm⁻¹ ~24 cm⁻¹
イオン性 ほぼゼロ 約30%
デバイ温度 645 K 344 K

4. 絶縁体のフォノン特性

4.1 イオン結晶(NaCl)

塩化ナトリウム(NaCl)は、岩塩構造を持つ典型的なイオン結晶です。 強いイオン性により、フォノン特性が金属や半導体とは大きく異なります。

NaClの特徴

  • 強いイオン性: Na⁺とCl⁻の完全なイオン結合
  • 非常に大きなLO-TO分裂: Γ点で顕著な分裂(~100 cm⁻¹)
  • 赤外活性: TOモードが強い赤外吸収を示す
  • 軟らかいフォノン: イオン質量が大きいため低振動数

4.2 共有結合結晶(ダイヤモンド)

ダイヤモンドは、純粋な炭素のsp³混成軌道による強固な共有結合結晶です。 最も硬い物質の一つであり、極めて高いフォノン振動数を持ちます。

ダイヤモンドの特徴

  • 極めて高い振動数: Γ点のLOモード ~40 THz (1332 cm⁻¹)
  • 高デバイ温度: ~2200 K(室温でほとんど量子的)
  • 非常に高い熱伝導率: ~2000 W/(m·K)(室温)
  • 長い平均自由行程: フォノン散乱が少ない
# 各種材料のフォノン特性比較
import pandas as pd

def compare_phonon_properties():
    """
    代表的な材料のフォノン特性を比較
    """
    data = {
        '材料': ['Al', 'Cu', 'Si', 'GaAs', 'NaCl', 'Diamond'],
        '結合タイプ': ['金属', '金属', '共有', '共有-イオン', 'イオン', '共有'],
        'デバイ温度 (K)': [428, 343, 645, 344, 321, 2200],
        '最大フォノン振動数 (THz)': [9.0, 7.0, 15.5, 8.8, 8.0, 40.0],
        'Γ点LO (cm⁻¹)': ['-', '-', 520, 292, 264, 1332],
        'Γ点TO (cm⁻¹)': ['-', '-', 520, 268, 164, 1332],
        'LO-TO分裂 (cm⁻¹)': ['-', '-', 0, 24, 100, 0],
        '熱伝導率 (W/m·K)': [237, 401, 148, 55, 6.5, 2000]
    }

    df = pd.DataFrame(data)
    print("材料別フォノン特性比較表")
    print("=" * 80)
    print(df.to_string(index=False))

    # 可視化
    import matplotlib.pyplot as plt

    fig, axes = plt.subplots(2, 2, figsize=(14, 10))

    # デバイ温度
    axes[0, 0].bar(df['材料'], df['デバイ温度 (K)'], color='steelblue')
    axes[0, 0].set_ylabel('デバイ温度 (K)')
    axes[0, 0].set_title('デバイ温度の比較')
    axes[0, 0].tick_params(axis='x', rotation=45)

    # 最大フォノン振動数
    axes[0, 1].bar(df['材料'], df['最大フォノン振動数 (THz)'], color='coral')
    axes[0, 1].set_ylabel('振動数 (THz)')
    axes[0, 1].set_title('最大フォノン振動数')
    axes[0, 1].tick_params(axis='x', rotation=45)

    # 熱伝導率
    axes[1, 0].bar(df['材料'], df['熱伝導率 (W/m·K)'], color='seagreen')
    axes[1, 0].set_ylabel('熱伝導率 (W/m·K)')
    axes[1, 0].set_title('室温での熱伝導率')
    axes[1, 0].tick_params(axis='x', rotation=45)

    # LO-TO分裂(数値のみ)
    lo_to_data = df[df['LO-TO分裂 (cm⁻¹)'] != '-'].copy()
    lo_to_data['LO-TO分裂 (cm⁻¹)'] = lo_to_data['LO-TO分裂 (cm⁻¹)'].astype(float)
    axes[1, 1].bar(lo_to_data['材料'], lo_to_data['LO-TO分裂 (cm⁻¹)'], color='mediumpurple')
    axes[1, 1].set_ylabel('LO-TO分裂 (cm⁻¹)')
    axes[1, 1].set_title('LO-TO分裂の大きさ')
    axes[1, 1].tick_params(axis='x', rotation=45)

    plt.tight_layout()
    plt.savefig('material_phonon_comparison.png', dpi=150)
    plt.show()

# 実行
compare_phonon_properties()

材料間の傾向

  • 軽い原子 → 高い振動数(C > Si > Ge)
  • 強い結合 → 高いデバイ温度(Diamond > Si > Al)
  • イオン性 → 大きなLO-TO分裂(NaCl > GaAs > Si)
  • 高対称性 → 単純な分散関係(fcc金属)

5. フォノン測定の実験手法

5.1 非弾性中性子散乱(INS)

中性子散乱は、フォノン分散関係全体を測定できる最も直接的な手法です。 中性子のド・ブロイ波長が原子間隔と同程度であり、エネルギーがフォノンエネルギーと同程度であるため、 フォノン励起を直接観測できます。

測定原理

エネルギー保存則:

$$ \hbar\omega = E_i - E_f = \frac{\hbar^2}{2m_n}(k_i^2 - k_f^2) $$

運動量保存則(準運動量保存):

$$ \hbar\mathbf{q} = \hbar(\mathbf{k}_i - \mathbf{k}_f) + \hbar\mathbf{G} $$

\(m_n\): 中性子質量、\(k_i, k_f\): 入射・散乱中性子波数、\(\mathbf{G}\): 逆格子ベクトル

中性子散乱の利点と欠点

利点
  • ブリルアンゾーン全体の分散関係を測定可能
  • 全てのフォノンモード(光学・音響)を観測
  • 単結晶・多結晶両方に適用可能
  • 磁気励起も同時に測定可能
欠点
  • 大型施設(原子炉、加速器)が必要
  • 比較的大きな試料(~1 cm³)が必要
  • 測定時間が長い(数時間~数日)
  • 放射化の可能性

代表的な中性子散乱施設

  • J-PARC(日本): 大強度陽子加速器施設
  • ILL(フランス): 世界最高輝度の研究用原子炉
  • SNS(米国): スペーレーション中性子源
  • ISIS(英国): パルス中性子・ミュオン施設

5.2 ラマン分光

ラマン散乱は、可視光レーザーを試料に照射し、非弾性散乱光を分析することで、 フォノンモードを測定する手法です。Γ点近傍のフォノンのみを観測しますが、 小型の装置で迅速に測定できる利点があります。

ラマン散乱の選択則

ラマン活性となるためには、フォノンモードが分極率テンソルを変化させる必要があります:

$$ I_{\text{Raman}} \propto \left|\frac{\partial\alpha}{\partial Q}\right|^2 $$

\(\alpha\): 分極率、\(Q\): 正規座標

典型的なラマンスペクトル(Si)

# Siのラマンスペクトルシミュレーション
import numpy as np
import matplotlib.pyplot as plt
from scipy.stats import norm

def simulate_raman_spectrum():
    """
    シリコンのラマンスペクトルをシミュレート
    """
    # 波数範囲 (cm^-1)
    wavenumber = np.linspace(100, 1000, 1000)

    # Siの主要なラマンピーク(Γ点のLO/TOモード)
    # 実際には520 cm^-1付近に鋭いピーク
    peak_position = 520  # cm^-1
    peak_width = 3.0     # FWHM

    # ローレンツ関数でピークをモデル化
    def lorentzian(x, x0, gamma, amplitude):
        return amplitude * (gamma**2) / ((x - x0)**2 + gamma**2)

    intensity = lorentzian(wavenumber, peak_position, peak_width/2, 1000)

    # ノイズ追加
    noise = np.random.normal(0, 10, len(wavenumber))
    intensity_with_noise = intensity + noise
    intensity_with_noise[intensity_with_noise < 0] = 0

    # プロット
    plt.figure(figsize=(10, 6))
    plt.plot(wavenumber, intensity_with_noise, 'b-', linewidth=1)
    plt.axvline(x=peak_position, color='r', linestyle='--',
                label=f'F2g mode @ {peak_position} cm⁻¹')

    plt.xlabel('ラマンシフト (cm⁻¹)', fontsize=12)
    plt.ylabel('強度 (a.u.)', fontsize=12)
    plt.title('シリコンのラマンスペクトル(室温)', fontsize=14)
    plt.legend()
    plt.grid(True, alpha=0.3)
    plt.xlim(100, 1000)
    plt.tight_layout()
    plt.savefig('si_raman_spectrum.png', dpi=150)
    plt.show()

    print(f"シリコンのラマン活性モード:")
    print(f"  振動数: {peak_position} cm⁻¹ (15.53 THz)")
    print(f"  対称性: F2g (三重縮退)")
    print(f"  線幅: {peak_width} cm⁻¹")
    print(f"  温度依存性: 室温で線幅が広がる(非調和効果)")

# 実行
simulate_raman_spectrum()

ラマン分光の応用

  • 応力・歪み評価: ピークシフトから局所応力を測定
  • 結晶性評価: ピーク幅から結晶品質を評価
  • 温度測定: 反ストークス/ストークス比から局所温度決定
  • ドーピング評価: フォノンモードの変化からドーパント濃度推定
  • 2次元材料研究: グラフェン、MoS₂などの層数同定

5.3 赤外分光(FTIR)

フーリエ変換赤外分光(FTIR)は、赤外光の吸収を測定することで、 赤外活性なフォノンモードを観測します。ラマン分光と相補的な情報を提供します。

赤外活性の選択則

赤外活性となるためには、フォノンモードが双極子モーメントを変化させる必要があります:

$$ I_{\text{IR}} \propto \left|\frac{\partial\mu}{\partial Q}\right|^2 $$

\(\mu\): 双極子モーメント、\(Q\): 正規座標

ラマン vs 赤外の相補性

特性 ラマン分光 赤外分光
励起源 可視光レーザー(532 nm等) 赤外光(2.5-25 μm)
活性条件 分極率変化 双極子モーメント変化
対称モード ラマン活性 赤外不活性
反対称モード ラマン不活性(場合による) 赤外活性
試料準備 簡単(非破壊) やや複雑(薄片化が必要な場合も)
空間分解能 高い(~1 μm) 低い(~10 μm)
適用例 Si, Diamond, グラフェン NaCl, GaAs, 有機材料

中心対称結晶の相互排他律

中心対称性を持つ結晶(Si, Diamondなど)では、ラマン活性なモードは赤外不活性、 赤外活性なモードはラマン不活性となります(相互排他律)。一方、非中心対称結晶(GaAsなど)では、 同じモードがラマン・赤外両方で活性となることがあります。

5.4 非弾性X線散乱(IXS)

第3世代放射光施設の高輝度X線を用いて、フォノンを測定する手法です。 中性子散乱と類似していますが、より高いエネルギー・運動量分解能を持ちます。

IXSの特徴

  • 小試料測定: μm~mmサイズで測定可能
  • 高エネルギー分解能: meV以下の分解能
  • 高圧下測定: ダイヤモンドアンビルセル中の測定が容易
  • 元素選択性: 共鳴散乱により特定元素のフォノンを抽出
graph TD A[フォノン測定手法] --> B[中性子散乱] A --> C[ラマン分光] A --> D[赤外分光] A --> E[IXS] B --> B1[全Qベクトル] B --> B2[全モード観測] B --> B3[大型施設必要] C --> C1[Γ点近傍のみ] C --> C2[小型装置] C --> C3[高空間分解能] D --> D1[Γ点近傍のみ] D --> D2[ラマンと相補的] D --> D3[分子振動に強い] E --> E1[高Q高E測定] E --> E2[小試料OK] E --> E3[高圧測定可能] style A fill:#e3f2fd style B fill:#fff3e0 style C fill:#f3e5f5 style D fill:#e8f5e9 style E fill:#fce4ec

6. フォノン計算の第一原理手法

6.1 密度汎関数理論(DFT)とフォノン

現代のフォノン計算は、密度汎関数理論(DFT)に基づいています。 DFTは電子状態を量子力学的に計算し、そこから原子間力定数を求め、フォノン分散を得ます。

計算手順

graph LR A[結晶構造入力] --> B[DFT計算] B --> C[基底状態決定] C --> D[力定数計算] D --> E[動力学行列構築] E --> F[固有値問題] F --> G[フォノン分散] D --> D1[有限変位法] D --> D2[DFPT] style A fill:#e3f2fd style G fill:#c8e6c9 style D1 fill:#fff9c4 style D2 fill:#fff9c4

力定数の計算法

1. 有限変位法(Finite Displacement Method)

原子を微小変位させ、他の原子に働く力を計算することで、力定数を求めます:

$$ \Phi_{\alpha\beta}(ll') \approx \frac{F_\alpha(l) - F_\alpha^0(l)}{\Delta u_\beta(l')} $$

\(\Phi\): 力定数、\(F\): 力、\(\Delta u\): 変位、\(\alpha,\beta\): デカルト成分

  • 利点: 実装が簡単、様々なDFTコードで使用可能
  • 欠点: 多数の原子変位パターンが必要(計算コスト大)
2. 密度汎関数摂動理論(DFPT)

原子変位に対する電子密度の応答を、摂動論的に直接計算します:

$$ \frac{\partial^2 E}{\partial u_\alpha(l)\partial u_\beta(l')} = \text{DFPT計算} $$
  • 利点: 変位パターン不要、効率的、誘電応答も同時計算
  • 欠点: 実装が複雑、対応DFTコードが限定的

6.2 主要なDFTコード

VASP (Vienna Ab initio Simulation Package)

  • タイプ: 平面波基底+PAW法
  • フォノン計算: 有限変位法(Phonopy併用が標準)
  • 特徴: 高精度、広範な機能、商用(学術ライセンス有)
  • 得意分野: 固体物性全般、表面・界面

Quantum ESPRESSO

  • タイプ: 平面波基底+擬ポテンシャル
  • フォノン計算: DFPT(PHonon モジュール)
  • 特徴: オープンソース、DFPT完備、電子-フォノン結合計算可能
  • 得意分野: フォノン物性、超伝導、スピントロニクス

CASTEP

  • タイプ: 平面波基底+擬ポテンシャル
  • フォノン計算: DFPT(Linear response)
  • 特徴: 商用、GUI(Materials Studio)、ラマン・IR活性計算
  • 得意分野: 材料設計、スペクトル予測

6.3 Phonopyによるフォノン計算

Phonopyは、オープンソースのフォノン計算パッケージで、 様々なDFTコード(VASP, Quantum ESPRESSO, LAMMPS等)と連携して動作します。 有限変位法に基づき、フォノン分散、状態密度、熱的性質を計算します。

Phonopyの基本ワークフロー

# Phonopyを使ったフォノン計算の基本フロー

# 1. 必要なライブラリのインポート
from phonopy import Phonopy
from phonopy.interface.vasp import read_vasp
from phonopy.file_IO import parse_FORCE_SETS, parse_BORN
import numpy as np
import matplotlib.pyplot as plt

# 2. 結晶構造の読み込み
def phonopy_basic_workflow():
    """
    PhonopyでSiのフォノン計算(概念的な例)
    """

    # 単位格子の読み込み(VASP POSCAR形式)
    unitcell = read_vasp("POSCAR")

    # Phonopyオブジェクト作成(2x2x2スーパーセル)
    phonon = Phonopy(unitcell,
                     supercell_matrix=[[2, 0, 0],
                                      [0, 2, 0],
                                      [0, 0, 2]],
                     primitive_matrix='auto')

    # 変位パターン生成
    phonon.generate_displacements(distance=0.01)  # 0.01 Å変位

    # スーパーセルを取得(これをDFT計算に使用)
    supercells = phonon.supercells_with_displacements

    print(f"生成された変位パターン数: {len(supercells)}")
    print("各スーパーセルをDFT計算し、力を求める...")

    # 3. FORCE_SETSファイルの読み込み(DFT計算後)
    # parse_FORCE_SETS(phonon, "FORCE_SETS")

    # 4. 力定数の計算
    # phonon.produce_force_constants()

    # 5. フォノン分散の計算
    # band_pathを設定(Siの場合: L-Γ-X-W-K-Γ)
    bands = []
    q_points = []
    # ... 省略(実際にはband pathを設定)

    # phonon.run_band_structure(q_points, path_connections=...)
    # band_dict = phonon.get_band_structure_dict()

    print("\n基本的な使い方:")
    print("1. POSCARファイルを準備")
    print("2. phonopy -d --dim='2 2 2' で変位パターン生成")
    print("3. 各POSCAR-XXXでVASP計算(力のみ)")
    print("4. phonopy -f vasprun.xml でFORCE_SETS作成")
    print("5. phonopy -p band.conf でバンド図作成")

    return phonon

# 実行例
# phonon = phonopy_basic_workflow()

実践例: Siのフォノン計算

# 実際のPhonopy計算例(設定ファイルベース)

def create_phonopy_config():
    """
    Phonopy設定ファイルの作成例
    """

    # band.conf の内容
    band_conf = """
# シリコンのフォノンバンド計算設定

ATOM_NAME = Si
DIM = 2 2 2
PRIMITIVE_AXIS = 0.0 0.5 0.5  0.5 0.0 0.5  0.5 0.5 0.0

BAND = 0.5 0.5 0.5  0.0 0.0 0.0  0.5 0.0 0.5  0.625 0.25 0.625  0.375 0.375 0.75  0.0 0.0 0.0
BAND_LABELS = L $\\Gamma$ X W K $\\Gamma$
BAND_POINTS = 51

# フォノン状態密度
DOS = .TRUE.
DOS_RANGE = 0 20

# 熱的性質(フリーエネルギー、エントロピー、比熱)
TPROP = .TRUE.
TMIN = 0
TMAX = 1000
TSTEP = 10

# プロット設定
BAND_PLOT = .TRUE.
DOS_PLOT = .TRUE.
"""

    with open('band.conf', 'w') as f:
        f.write(band_conf)

    print("band.conf を作成しました")
    print("\n実行手順:")
    print("$ phonopy -d --dim='2 2 2'           # 変位生成")
    print("$ # VASP計算実行(各POSCAR-XXX)")
    print("$ phonopy -f disp-{001..XXX}/vasprun.xml  # 力読み込み")
    print("$ phonopy -p band.conf                # バンド計算・プロット")
    print("$ phonopy -t -p band.conf             # 熱的性質計算")

# 実行
create_phonopy_config()

# フォノン状態密度の可視化例
def plot_phonon_dos_example():
    """
    フォノン状態密度(DOS)のプロット例
    """
    # 模擬データ(実際はPhonopyから取得)
    frequency = np.linspace(0, 16, 500)  # THz

    # Siの典型的なDOS形状(二峰性)
    dos_TA = 0.5 * np.exp(-((frequency - 5.0) ** 2) / 2.0)
    dos_LA = 0.4 * np.exp(-((frequency - 12.0) ** 2) / 1.5)
    dos_LO = 0.6 * np.exp(-((frequency - 15.5) ** 2) / 0.5)

    dos_total = dos_TA + dos_LA + dos_LO

    plt.figure(figsize=(10, 6))
    plt.fill_between(frequency, dos_total, alpha=0.3, color='blue', label='Total DOS')
    plt.plot(frequency, dos_total, 'b-', linewidth=2)

    # 部分DOSもプロット
    plt.plot(frequency, dos_TA, 'r--', alpha=0.6, label='TA contribution')
    plt.plot(frequency, dos_LA, 'g--', alpha=0.6, label='LA contribution')
    plt.plot(frequency, dos_LO, 'm--', alpha=0.6, label='LO contribution')

    plt.xlabel('振動数 (THz)', fontsize=12)
    plt.ylabel('状態密度 (a.u.)', fontsize=12)
    plt.title('シリコンのフォノン状態密度', fontsize=14)
    plt.legend()
    plt.grid(True, alpha=0.3)
    plt.xlim(0, 16)
    plt.tight_layout()
    plt.savefig('si_phonon_dos.png', dpi=150)
    plt.show()

# 実行
plot_phonon_dos_example()

Phonopyの強力な機能

  • 熱的性質計算: 比熱、自由エネルギー、エントロピー
  • 非調和効果: 準調和近似による熱膨張
  • 等方性材料: 多結晶平均の物性値
  • アニメーション: フォノンモードの可視化
  • モード分解熱伝導: 各モードの寄与分析

7. フォノンが支配する材料物性

7.1 熱伝導

固体の格子熱伝導は、フォノンによる熱エネルギー輸送で決まります。 フォノンを「熱を運ぶ粒子」として扱うフォノン気体モデルが有効です。

格子熱伝導率の式

キネティック理論より:

$$ \kappa_{\text{lat}} = \frac{1}{3}\sum_{\mathbf{q},j} C_{\mathbf{q}j} v_{\mathbf{q}j} \ell_{\mathbf{q}j} $$

\(C\): 比熱、\(v\): 群速度、\(\ell\): 平均自由行程

フォノン散乱機構

  • ウムクラップ散乱: 逆格子ベクトルが関与する3フォノン過程(高温で支配的)
  • 境界散乱: 試料表面・粒界での散乱(ナノ材料で重要)
  • 点欠陥散乱: 不純物・同位体による散乱
  • 転位散乱: 結晶欠陥による散乱
# 熱伝導率の温度依存性(簡略モデル)
import numpy as np
import matplotlib.pyplot as plt

def thermal_conductivity_temperature():
    """
    典型的な結晶の熱伝導率温度依存性
    """
    T = np.linspace(1, 1000, 500)  # 温度 (K)

    # 簡略化したモデル
    # 低温: T^3依存(デバイモデル)
    # 高温: 1/T依存(ウムクラップ散乱)

    def kappa_low(T, theta_D=300):
        """低温領域(T << θ_D)"""
        return 1000 * (T / theta_D) ** 3

    def kappa_high(T, theta_D=300):
        """高温領域(T >> θ_D)"""
        return 100000 / T

    # スムーズに接続
    theta_D_si = 645  # Siのデバイ温度
    kappa_Si = []
    for temp in T:
        if temp < theta_D_si / 10:
            kappa_Si.append(kappa_low(temp, theta_D_si))
        elif temp > theta_D_si:
            kappa_Si.append(kappa_high(temp, theta_D_si))
        else:
            # 中間温度域(実際はより複雑)
            w_low = (theta_D_si - temp) / theta_D_si
            w_high = temp / theta_D_si
            kappa_Si.append(w_low * kappa_low(temp, theta_D_si) +
                           w_high * kappa_high(temp, theta_D_si))

    kappa_Si = np.array(kappa_Si)

    # ダイヤモンド(高熱伝導)
    theta_D_diamond = 2200
    kappa_diamond = 20000 / (T + 50)  # 簡略化

    # アモルファス(低熱伝導)
    kappa_amorphous = 2 * np.ones_like(T)  # ほぼ温度依存性なし

    plt.figure(figsize=(10, 6))
    plt.plot(T, kappa_Si, 'b-', linewidth=2, label='結晶Si')
    plt.plot(T, kappa_diamond, 'g-', linewidth=2, label='ダイヤモンド')
    plt.plot(T, kappa_amorphous, 'r--', linewidth=2, label='アモルファスSiO₂')

    plt.xlabel('温度 (K)', fontsize=12)
    plt.ylabel('熱伝導率 (W/m·K)', fontsize=12)
    plt.title('材料の熱伝導率温度依存性', fontsize=14)
    plt.legend()
    plt.grid(True, alpha=0.3)
    plt.yscale('log')
    plt.xlim(0, 1000)
    plt.ylim(0.1, 10000)
    plt.tight_layout()
    plt.savefig('thermal_conductivity_temperature.png', dpi=150)
    plt.show()

# 実行
thermal_conductivity_temperature()

7.2 電子-フォノン結合と超伝導

BCS理論によれば、従来型超伝導体では電子-フォノン相互作用が クーパー対形成を媒介します。超伝導転移温度\(T_c\)は電子-フォノン結合定数\(\lambda\)に強く依存します。

McMillanの式

$$ T_c = \frac{\omega_{\log}}{1.20}\exp\left(-\frac{1.04(1+\lambda)}{\lambda - \mu^*(1+0.62\lambda)}\right) $$

\(\omega_{\log}\): 対数平均フォノン振動数、\(\lambda\): 電子-フォノン結合定数、 \(\mu^*\): クーロン擬ポテンシャル

代表的な超伝導体の特性

材料 結晶構造 Tc (K) λ 特徴
Al fcc 1.2 0.43 弱結合超伝導体
Pb fcc 7.2 1.55 強結合超伝導体
Nb₃Sn A15 18.3 1.9 高Tc金属間化合物
MgB₂ 六方 39 0.87 多バンド超伝導

7.3 その他のフォノン関連物性

圧電効果

非中心対称結晶(GaAs, ZnO等)では、機械的応力が電気分極を生み、逆も成立します。 これはフォノンと電場の結合によるものです。

熱膨張

格子振動のポテンシャルが調和的でない(非調和性)ため、温度上昇とともに平均原子間距離が増加します。 これが熱膨張の微視的起源です。

$$ \alpha = \frac{1}{V}\frac{\partial V}{\partial T} = \frac{\gamma C_V}{BV} $$

\(\alpha\): 線膨張係数、\(\gamma\): グリュナイゼン定数、\(C_V\): 定積比熱、\(B\): 体積弾性率

ラマン冷却

レーザー光のラマン散乱を利用して、フォノンを選択的に励起・抑制することで、 物質を冷却する技術です。光学的フォノンモードの制御が鍵となります。

8. 上級トピックへのプレビュー

8.1 フォノン輸送のボルツマン方程式

より厳密な熱伝導理論では、フォノンのボルツマン輸送方程式を解きます:

$$ \frac{\partial f}{\partial t} + \mathbf{v}\cdot\nabla_{\mathbf{r}}f + \mathbf{F}\cdot\nabla_{\mathbf{p}}f = \left(\frac{\partial f}{\partial t}\right)_{\text{coll}} $$

\(f\): フォノン分布関数、\(\mathbf{v}\): 群速度、\(\mathbf{F}\): 外力、 右辺は衝突項(散乱過程)

8.2 非調和効果と格子動力学

高次(3次、4次)のフォノン相互作用は、有限温度でのフォノン振動数シフト、線幅、 そして熱伝導に重要です。これらは格子動力学分子動力学(LD-MD)自己無撞着フォノン理論で扱われます。

8.3 トポロジカルフォノニクス

トポロジカル絶縁体の概念をフォノン系に適用した新分野です。 バンド構造のトポロジーにより保護されたエッジ状態が、 ロバストな音響・熱輸送を実現する可能性があります。

8.4 2次元材料のフォノン

グラフェン、MoS₂などの2次元材料では、層外方向(ZA)モードが特異な振る舞いを示します。 また、層数によってフォノンモードが変化し、ラマン分光で同定可能です。

graph TD A[フォノン研究の最前線] --> B[熱伝導制御] A --> C[超伝導機構] A --> D[トポロジカルフォノン] A --> E[2D材料] A --> F[機械学習応用] B --> B1[熱電材料設計] B --> B2[熱管理デバイス] C --> C1[高温超伝導] C --> C2[新超伝導体探索] D --> D1[ロバスト音響導波路] D --> D2[フォノニック結晶] E --> E1[グラフェン] E --> E2[遷移金属ダイカルコゲナイド] F --> F1[フォノン物性予測] F --> F2[材料スクリーニング] style A fill:#e3f2fd style B fill:#fff3e0 style C fill:#f3e5f5 style D fill:#e8f5e9 style E fill:#fce4ec style F fill:#fff9c4

9. まとめ

本章では、実材料におけるフォノンの多様な振る舞いを学びました:

  • 金属、半導体、絶縁体それぞれに特徴的なフォノン特性が存在する
  • 中性子散乱、ラマン分光、赤外分光など、相補的な実験手法がある
  • 第一原理計算(DFT + Phonopy)で定量的なフォノン予測が可能
  • フォノンは熱伝導、超伝導など、重要な材料物性を支配する
  • 現代の材料研究では、実験と計算の両輪によるフォノン理解が不可欠

次のステップ

本シリーズの最終章では、フォノン研究の最新トピックと今後の展望を紹介します。 また、実際の研究論文を読むためのガイドや、より高度な計算手法についても触れます。

演習問題

問題1: 材料比較(基礎)

以下の材料を、デバイ温度の高い順に並べよ:Al, Cu, Si, GaAs, Diamond

解答を見る

解答:

Diamond (2200 K) > Si (645 K) > Al (428 K) > GaAs (344 K) > Cu (343 K)

解説:

デバイ温度は、原子質量(軽いほど高い)と結合強度(強いほど高い)で決まります。 ダイヤモンドは最も軽く(C: 12)最も強い共有結合を持つため最高です。 SiもC同族で共有結合ですが重いため低下します。金属は一般に低く、 GaAs(化合物)とCu(重い金属)は最も低くなります。

問題2: LO-TO分裂(中級)

GaAsのΓ点でLO-TO分裂が24 cm⁻¹ある。静的誘電率\(\varepsilon_0 = 12.9\)、 TOモード振動数を\(\omega_{TO} = 268\) cm⁻¹とする。 Lyddane-Sachs-Teller関係式を用いて高周波誘電率\(\varepsilon_\infty\)を求めよ。

解答を見る

解答:

LOモード振動数: \(\omega_{LO} = 268 + 24 = 292\) cm⁻¹
LST関係式: \(\displaystyle\frac{\omega_{LO}^2}{\omega_{TO}^2} = \frac{\varepsilon_0}{\varepsilon_\infty}\)

\(\displaystyle\varepsilon_\infty = \varepsilon_0 \frac{\omega_{TO}^2}{\omega_{LO}^2} = 12.9 \times \frac{268^2}{292^2} = 12.9 \times 0.843 \approx 10.9\)

解説:

この値は実験値(10.9)と一致します。LO-TO分裂が大きいほど、 \(\varepsilon_0\)と\(\varepsilon_\infty\)の差が大きく、イオン性が強いことを意味します。

問題3: Phonopyワークフロー(実践)

Phonopyを使ってNaClのフォノン分散を計算したい。以下の手順を正しい順序に並べよ:
(a) VASPで力の計算
(b) phonopy -d --dim='2 2 2'で変位パターン生成
(c) phonopy -p band.confでバンド図作成
(d) phonopy -f vasprun.xmlでFORCE_SETS作成
(e) POSCAR(NaCl構造)準備

解答を見る

解答:

正しい順序: (e) → (b) → (a) → (d) → (c)

詳細な手順:

  1. (e) POSCARファイル準備(NaClの岩塩構造)
  2. (b) 変位パターン生成(POSCAR-001, POSCAR-002, ...が作成される)
  3. (a) 各変位構造でVASP計算(NSW=0で力のみ計算)
  4. (d) 全vasprun.xmlから力データを抽出してFORCE_SETS作成
  5. (c) band.confに基づきフォノンバンド計算・可視化

イオン性結晶(NaCl)の場合、Born有効電荷と誘電テンソルも必要なので、 VASP計算時にLEPSILON=.TRUE.を設定し、 phonopy-vasp-bornでBORNファイルも作成すべきです。

問題4: 熱伝導率の考察(上級)

ダイヤモンドの室温熱伝導率(~2000 W/m·K)は銅(~400 W/m·K)の約5倍です。 しかし電気伝導率は銅の方が圧倒的に高い。なぜダイヤモンドの熱伝導率がこれほど高いのか、 フォノンの観点から説明せよ。

解答を見る

解答:

ダイヤモンドの高熱伝導率の主要因:

  1. 高い音速: 強固な共有結合により、フォノン群速度が非常に大きい (縦波音速 ~18 km/s vs 銅 ~5 km/s)
  2. 長い平均自由行程: 軽い炭素原子のため、同位体散乱が少ない。 また高いデバイ温度(2200 K)により室温で3フォノンウムクラップ散乱が抑制される
  3. 高周波フォノンの寄与: 室温でも高周波フォノンが励起され、 多数のフォノンモードが熱輸送に寄与
  4. 高い結晶品質: 天然/CVDダイヤモンドは欠陥が少なく、 境界・点欠陥散乱が最小限

一方、銅は電子による熱伝導も大きいですが、格子熱伝導はダイヤモンドほど効率的ではありません。 絶縁体(ダイヤモンド)では格子熱伝導のみが熱を運ぶため、フォノン特性が直接的に反映されます。

問題5: 実験手法の選択(応用)

以下の測定目的に対して、最も適した実験手法(中性子散乱、ラマン分光、赤外分光、IXS)を選び、 理由を述べよ:
(a) Siウエハーの局所応力分布を高空間分解能で測定
(b) 高圧下(100 GPa)でのダイヤモンドのフォノン分散全体
(c) グラフェンの層数同定
(d) 有機分子結晶の分子振動モード(~1000-3000 cm⁻¹)

解答を見る

解答:

(a) ラマン分光
理由: 高い空間分解能(~1 μm)が得られ、Siの520 cm⁻¹ピークシフトから応力を定量評価可能。 非破壊・迅速測定で半導体産業で標準的に使用される。

(b) 非弾性X線散乱(IXS)
理由: 高圧下ではダイヤモンドアンビルセル(DAC)を使用するが、X線はダイヤモンド窓を透過可能。 中性子は高圧セル中での測定が困難。IXSなら小試料(μmサイズ)で全Qベクトルの測定可能。

(c) ラマン分光
理由: グラフェンでは層数によりラマンスペクトルのGバンド(~1580 cm⁻¹)と2Dバンド(~2700 cm⁻¹) の形状・強度比が変化。単層では2D/G比 > 2、2層では2Dバンドが4ピークに分裂するなど、 明確な指紋が得られる。

(d) 赤外分光(FTIR)
理由: 分子振動(特にC-H, O-H, C=O伸縮)は赤外活性であることが多く、 1000-3000 cm⁻¹域は赤外分光の得意領域。有機分子の官能基同定に標準的に使用される。 ラマンも補完的に使用されることが多い。

参考文献

  1. G. Grimvall, "Thermophysical Properties of Materials" (Elsevier, 1999) — 材料の熱物性とフォノンの包括的解説
  2. M. T. Dove, "Introduction to Lattice Dynamics" (Cambridge University Press, 1993) — 格子動力学の標準的教科書
  3. G. L. Squires, "Introduction to the Theory of Thermal Neutron Scattering" (Cambridge, 2012) — 中性子散乱の基礎理論
  4. D. A. Long, "The Raman Effect" (Wiley, 2002) — ラマン分光の包括的参考書
  5. A. Togo and I. Tanaka, Scr. Mater. 108, 1 (2015) — Phonopyの原著論文
  6. P. Giannozzi et al., J. Phys.: Condens. Matter 21, 395502 (2009) — Quantum ESPRESSOの論文
  7. G. Kresse and J. Furthmüller, Phys. Rev. B 54, 11169 (1996) — VASPの論文
  8. W. Li et al., Comput. Phys. Commun. 185, 1747 (2014) — ShengBTE(フォノン輸送計算)
  9. G. A. Slack, J. Phys. Chem. Solids 34, 321 (1973) — ダイヤモンドの熱伝導率の古典論文
  10. P. B. Allen and R. C. Dynes, Phys. Rev. B 12, 905 (1975) — McMillan式の改良版