この章で学ぶこと
学習目標(3レベル)
基本レベル
- Drudeモデルによる電気伝導のメカニズムを説明できる
- Hall効果とキャリア密度・移動度の関係を理解できる
- 強磁性・反強磁性・常磁性の違いを説明できる
中級レベル
- バンド構造から電気伝導度を計算できる
- 磁気モーメントとスピン密度の関係を理解し、計算できる
- スピン軌道相互作用が磁性に与える影響を説明できる
上級レベル
- DFT計算結果から電気的・磁気的性質を定量的に予測できる
- 超伝導の基本メカニズム(BCS理論)を理解できる
- 実験データとDFT計算を比較し、汎関数の妥当性を評価できる
電気伝導の古典理論:Drudeモデル
自由電子近似
金属中の価電子を「自由に動き回る粒子」とみなす最も単純なモデルです。電子は原子核の格子中を自由に移動し、散乱は格子振動(フォノン)や不純物によって起こります。
Drudeモデルの基本方程式
電場$\mathbf{E}$中での電子の運動方程式:
$$ m^* \frac{d\mathbf{v}}{dt} = -e\mathbf{E} - \frac{m^*\mathbf{v}}{\tau} $$- $m^*$:電子の有効質量
- $\mathbf{v}$:ドリフト速度
- $\tau$:緩和時間(衝突までの平均時間)
- $-e$:電子の電荷
定常状態($d\mathbf{v}/dt = 0$)では:
$$ \mathbf{v} = -\frac{e\tau}{m^*}\mathbf{E} $$電気伝導度
電流密度$\mathbf{J}$は:
$$ \mathbf{J} = -ne\mathbf{v} = \frac{ne^2\tau}{m^*}\mathbf{E} = \sigma \mathbf{E} $$したがって、電気伝導度は:
$$ \sigma = \frac{ne^2\tau}{m^*} $$- $n$:キャリア密度 [m⁻³]
- $e$:電子電荷($1.602 \times 10^{-19}$ C)
移動度$\mu$との関係:
$$ \mu = \frac{e\tau}{m^*}, \quad \sigma = ne\mu $$典型的な値(室温)
| 材料 | 電気伝導度 [S/m] | キャリア密度 [m⁻³] | 移動度 [cm²/Vs] |
|---|---|---|---|
| Cu(銅) | 5.96 × 10⁷ | 8.5 × 10²⁸ | 43 |
| Si(n型) | 10³ - 10⁵ | 10²¹ - 10²³ | 1400 |
| GaAs(n型) | 10³ - 10⁶ | 10²¹ - 10²³ | 8500 |
Drudeモデルのシミュレーション
import numpy as np
import matplotlib.pyplot as plt
# 物理定数
e = 1.602e-19 # 電子電荷 [C]
m_e = 9.109e-31 # 電子質量 [kg]
def calculate_conductivity(n, tau, m_star=1.0):
"""
電気伝導度を計算
Parameters:
-----------
n : float
キャリア密度 [m^-3]
tau : float
緩和時間 [s]
m_star : float
有効質量(電子質量の単位)
Returns:
--------
sigma : float
電気伝導度 [S/m]
mu : float
移動度 [cm^2/Vs]
"""
m_eff = m_star * m_e
sigma = n * e**2 * tau / m_eff # 伝導度 [S/m]
mu = e * tau / m_eff * 1e4 # 移動度 [cm^2/Vs]
return sigma, mu
# 典型的な金属(Cu)
n_Cu = 8.5e28 # [m^-3]
tau_Cu = 2.7e-14 # [s]
sigma_Cu, mu_Cu = calculate_conductivity(n_Cu, tau_Cu, m_star=1.0)
print("=== 銅(Cu)の電気特性 ===")
print(f"キャリア密度: {n_Cu:.2e} m^-3")
print(f"緩和時間: {tau_Cu:.2e} s")
print(f"電気伝導度: {sigma_Cu:.2e} S/m")
print(f"移動度: {mu_Cu:.1f} cm^2/Vs")
# 半導体(Si n型)の移動度と温度依存性
temperatures = np.linspace(100, 500, 50) # [K]
# 移動度の温度依存性(簡略モデル: μ ∝ T^-3/2)
mu_Si_ref = 1400 # [cm^2/Vs] at 300K
T_ref = 300
mu_Si = mu_Si_ref * (temperatures / T_ref)**(-1.5)
plt.figure(figsize=(10, 6))
plt.plot(temperatures, mu_Si, linewidth=2, color='#f093fb')
plt.axhline(y=1400, color='red', linestyle='--', label='室温値 (300K)')
plt.xlabel('温度 [K]', fontsize=12)
plt.ylabel('移動度 [cm²/Vs]', fontsize=12)
plt.title('Si n型半導体の移動度の温度依存性', fontsize=14, fontweight='bold')
plt.legend()
plt.grid(True, alpha=0.3)
plt.tight_layout()
plt.savefig('mobility_temperature.png', dpi=300, bbox_inches='tight')
plt.show()
Hall効果とキャリア測定
Hall効果の原理
電流が流れる導体に垂直な磁場をかけると、ローレンツ力により電荷が偏り、横方向に電位差(Hall電圧)が生じます。
F = -e v × B] C --> D[電荷分離] D --> E[Hall電圧 VH] style A fill:#f093fb,stroke:#f5576c,stroke-width:2px,color:#fff style E fill:#d4edda,stroke:#28a745,stroke-width:2px
Hall係数
Hall電場$E_y$は:
$$ E_y = R_H J_x B_z $$Hall係数$R_H$は:
$$ R_H = \frac{1}{ne} $$- 正孔(ホール)の場合:$R_H > 0$
- 電子の場合:$R_H < 0$
キャリア密度の測定:
$$ n = \frac{1}{|R_H| e} $$移動度の測定:
$$ \mu = |R_H| \sigma $$Hall効果測定のシミュレーション
import numpy as np
import matplotlib.pyplot as plt
def hall_effect_simulation(n, mu, B_range, thickness=1e-3):
"""
Hall効果をシミュレート
Parameters:
-----------
n : float
キャリア密度 [m^-3]
mu : float
移動度 [m^2/Vs]
B_range : array
磁場範囲 [T]
thickness : float
試料厚さ [m]
"""
e = 1.602e-19
# Hall係数
R_H = 1 / (n * e) # [m^3/C]
# 電流密度を一定と仮定
J = 1e6 # [A/m^2]
# Hall電圧
V_H = R_H * J * B_range * thickness # [V]
# Hall抵抗
R_Hall = V_H / (J * thickness**2) # [Ω]
return V_H, R_Hall, R_H
# Si n型半導体の例
n_Si = 1e22 # [m^-3]
mu_Si = 0.14 # [m^2/Vs] = 1400 cm^2/Vs
B_range = np.linspace(-2, 2, 100) # [T]
V_H, R_Hall, R_H = hall_effect_simulation(n_Si, mu_Si, B_range)
# プロット
fig, (ax1, ax2) = plt.subplots(1, 2, figsize=(14, 5))
# Hall電圧 vs 磁場
ax1.plot(B_range, V_H * 1e3, linewidth=2, color='#f093fb')
ax1.axhline(y=0, color='black', linestyle='-', linewidth=0.5)
ax1.axvline(x=0, color='black', linestyle='-', linewidth=0.5)
ax1.set_xlabel('磁場 [T]', fontsize=12)
ax1.set_ylabel('Hall電圧 [mV]', fontsize=12)
ax1.set_title('Hall電圧の磁場依存性', fontsize=14, fontweight='bold')
ax1.grid(True, alpha=0.3)
# Hall抵抗 vs 磁場
ax2.plot(B_range, R_Hall, linewidth=2, color='#f5576c')
ax2.axhline(y=0, color='black', linestyle='-', linewidth=0.5)
ax2.set_xlabel('磁場 [T]', fontsize=12)
ax2.set_ylabel('Hall抵抗 [Ω]', fontsize=12)
ax2.set_title('Hall抵抗の磁場依存性', fontsize=14, fontweight='bold')
ax2.grid(True, alpha=0.3)
plt.tight_layout()
plt.savefig('hall_effect.png', dpi=300, bbox_inches='tight')
plt.show()
print("=== Hall効果測定結果 ===")
print(f"キャリア密度: {n_Si:.2e} m^-3")
print(f"Hall係数: {R_H:.2e} m^3/C")
print(f"Hall係数の符号: {'負(電子)' if R_H < 0 else '正(正孔)'}")
print(f"1T磁場でのHall電圧: {V_H[np.argmin(np.abs(B_range - 1.0))] * 1e3:.3f} mV")
磁性の基礎理論
磁気モーメントの起源
原子・分子の磁気モーメントは、2つの寄与があります:
- 軌道磁気モーメント:電子の軌道運動による $$\mathbf{\mu}_L = -\frac{e}{2m_e}\mathbf{L}$$
- スピン磁気モーメント:電子の固有角運動量(スピン)による $$\mathbf{\mu}_S = -g_s \frac{e}{2m_e}\mathbf{S}$$
ここで、$g_s \approx 2$はg因子です。Bohr magneton $\mu_B$を用いて:
$$ \mu_B = \frac{e\hbar}{2m_e} = 9.274 \times 10^{-24} \, \text{J/T} $$磁化と磁化率
磁化$M$は、単位体積あたりの磁気モーメント:
$$ \mathbf{M} = \frac{1}{V}\sum_i \mathbf{\mu}_i $$磁化率$\chi$は:
$$ \mathbf{M} = \chi \mathbf{H} $$- $\chi > 0$:常磁性(磁場方向に磁化)
- $\chi < 0$:反磁性(磁場と逆方向に磁化)
磁性の分類
| 磁性 | 磁化率$\chi$ | 特徴 | 代表例 |
|---|---|---|---|
| 反磁性 | $\chi < 0$(小) | 外部磁場に反発、温度依存性なし | Cu, Au, Si |
| 常磁性 | $\chi > 0$(小) | 磁場方向に弱く磁化、Curie則($\chi \propto 1/T$) | Al, Pt, O₂ |
| 強磁性 | $\chi \gg 1$ | 自発磁化、キュリー温度$T_C$以下で秩序 | Fe, Co, Ni |
| 反強磁性 | $\chi > 0$(小) | 隣接スピンが反平行、Néel温度$T_N$以下で秩序 | MnO, Cr |
| フェリ磁性 | $\chi > 0$(大) | 反平行だが大きさが異なる → 正味の磁化 | Fe₃O₄(磁鉄鉱) |
強磁性の平均場理論(Weiss理論)
強磁性体では、隣接スピンが平行に揃おうとする「交換相互作用」が働きます。Weissは、各スピンが感じる「有効磁場」$H_{\text{eff}}$を導入しました:
$$ H_{\text{eff}} = H + \lambda M $$$\lambda$はWeiss定数(分子場定数)です。自己無撞着方程式を解くと、キュリー温度$T_C$が得られます:
$$ T_C = \frac{C\lambda}{N_A k_B} $$$T < T_C$では自発磁化が生じます。
DFT計算による磁性の予測
スピン分極DFT計算
磁性材料のDFT計算では、スピンアップ(↑)とスピンダウン(↓)の電子を別々に扱います(スピン分極計算)。
電子密度は、スピン成分に分解されます:
$$ n(\mathbf{r}) = n_\uparrow(\mathbf{r}) + n_\downarrow(\mathbf{r}) $$スピン密度(磁化密度):
$$ m(\mathbf{r}) = n_\uparrow(\mathbf{r}) - n_\downarrow(\mathbf{r}) $$磁気モーメント:
$$ \mu = \mu_B \int m(\mathbf{r}) d\mathbf{r} $$VASPでのスピン分極計算設定
# VASPでスピン分極計算を設定するINCARファイル
def create_magnetic_incar(system_name='Fe', initial_magmom=2.0):
"""
磁性材料のVASP INCARファイルを生成
Parameters:
-----------
system_name : str
システム名
initial_magmom : float
初期磁気モーメント [μB/atom]
"""
incar_content = f"""SYSTEM = {system_name} magnetic calculation
# Electronic structure
ENCUT = 400
PREC = Accurate
LREAL = Auto
# Exchange-correlation
GGA = PE
# SCF convergence
EDIFF = 1E-6
NELM = 100
# Smearing (金属のため)
ISMEAR = 1 # Methfessel-Paxton
SIGMA = 0.2
# スピン分極計算
ISPIN = 2 # スピン分極を有効化
MAGMOM = {initial_magmom} # 初期磁気モーメント [μB]
# 磁気モーメントの出力
LORBIT = 11 # 原子・軌道射影磁気モーメント
# Parallelization
NCORE = 4
"""
return incar_content
# 強磁性Fe(BCC)の計算設定
incar_fe = create_magnetic_incar('Fe BCC', initial_magmom=2.2)
print("=== Fe 強磁性計算 INCAR ===")
print(incar_fe)
# 反強磁性MnO(rocksalt)の計算設定
# Mn原子の初期スピンを交互に設定
incar_mno = """SYSTEM = MnO antiferromagnetic
ENCUT = 450
PREC = Accurate
GGA = PE
EDIFF = 1E-6
ISMEAR = 0
SIGMA = 0.05
# スピン分極計算
ISPIN = 2
MAGMOM = 4.0 -4.0 4.0 -4.0 0 0 0 0 # Mn4個(交互)+ O4個(非磁性)
LORBIT = 11
NCORE = 4
"""
print("\n=== MnO 反強磁性計算 INCAR ===")
print(incar_mno)
スピン密度の可視化
import numpy as np
import matplotlib.pyplot as plt
from mpl_toolkits.mplot3d import Axes3D
# スピン密度のダミーデータ生成(実際はVASP出力から読み込む)
def generate_spin_density_data():
"""
Fe原子周辺のスピン密度を模擬的に生成
"""
x = np.linspace(-3, 3, 50)
y = np.linspace(-3, 3, 50)
X, Y = np.meshgrid(x, y)
# ガウス分布でスピン密度を近似
spin_density = 2.2 * np.exp(-(X**2 + Y**2) / 2)
return X, Y, spin_density
X, Y, spin_density = generate_spin_density_data()
# 2Dプロット
fig, (ax1, ax2) = plt.subplots(1, 2, figsize=(14, 5))
# コンター図
contour = ax1.contourf(X, Y, spin_density, levels=20, cmap='RdBu_r')
ax1.contour(X, Y, spin_density, levels=10, colors='black', linewidths=0.5, alpha=0.3)
fig.colorbar(contour, ax=ax1, label='スピン密度 [μB/ų]')
ax1.set_xlabel('x [Å]', fontsize=12)
ax1.set_ylabel('y [Å]', fontsize=12)
ax1.set_title('Fe原子周辺のスピン密度(2D)', fontsize=14, fontweight='bold')
ax1.set_aspect('equal')
# 3Dサーフェス
from matplotlib import cm
ax2 = fig.add_subplot(122, projection='3d')
surf = ax2.plot_surface(X, Y, spin_density, cmap=cm.coolwarm, alpha=0.8)
ax2.set_xlabel('x [Å]', fontsize=10)
ax2.set_ylabel('y [Å]', fontsize=10)
ax2.set_zlabel('スピン密度 [μB/ų]', fontsize=10)
ax2.set_title('Fe原子周辺のスピン密度(3D)', fontsize=14, fontweight='bold')
plt.tight_layout()
plt.savefig('spin_density.png', dpi=300, bbox_inches='tight')
plt.show()
# 磁気モーメントの計算(数値積分)
dx = X[0, 1] - X[0, 0]
dy = Y[1, 0] - Y[0, 0]
total_moment = np.sum(spin_density) * dx * dy
print(f"\n=== 磁気モーメント計算結果 ===")
print(f"積分磁気モーメント: {total_moment:.2f} μB")
print(f"(実際のFe: 約2.2 μB)")
スピン軌道相互作用(SOC)
SOCの起源
電子のスピン$\mathbf{S}$と軌道角運動量$\mathbf{L}$が相互作用する効果です。相対論的効果により生じます:
$$ H_{\text{SOC}} = \lambda \mathbf{L} \cdot \mathbf{S} $$$\lambda$はスピン軌道結合定数で、原子番号$Z$の増加とともに急激に大きくなります($\lambda \propto Z^4$)。
SOCの物理的影響
- 磁気異方性:磁化の向きに依存してエネルギーが変わる
- 磁気円二色性(MCD):円偏光に対する吸収の差
- Rashba効果:反転対称性の破れた系でのスピン分裂
- トポロジカル絶縁体:SOCによるバンド反転
VASPでのSOC計算設定
# スピン軌道相互作用を含むVASP計算設定
def create_soc_incar(system_name='Pt', include_soc=True):
"""
SOC計算のINCARファイルを生成
Parameters:
-----------
system_name : str
システム名
include_soc : bool
SOCを有効化するか
"""
incar_content = f"""SYSTEM = {system_name} with SOC
ENCUT = 400
PREC = Accurate
GGA = PE
EDIFF = 1E-7 # SOC計算では高精度が必要
ISMEAR = 1
SIGMA = 0.2
# スピン分極 + SOC
ISPIN = 2
"""
if include_soc:
incar_content += """LSORBIT = .TRUE. # スピン軌道相互作用を有効化
LNONCOLLINEAR = .TRUE. # 非共線的磁性(スピンの向きが自由)
GGA_COMPAT = .FALSE. # SOC計算に推奨
"""
incar_content += """
LORBIT = 11
NCORE = 4
"""
return incar_content
# Pt(重元素、SOC重要)
incar_pt_soc = create_soc_incar('Pt bulk', include_soc=True)
print("=== Pt + SOC 計算 INCAR ===")
print(incar_pt_soc)
# SOCなしとの比較用
incar_pt_no_soc = create_soc_incar('Pt bulk', include_soc=False)
print("\n=== Pt (SOCなし) 計算 INCAR ===")
print(incar_pt_no_soc)
SOCによるバンド分裂
import numpy as np
import matplotlib.pyplot as plt
# SOCありなしのバンド構造シミュレーション
def simulate_soc_band_splitting():
"""
SOCによるバンド分裂を模擬的に可視化
"""
k = np.linspace(-np.pi, np.pi, 200)
# SOCなし(縮退)
E_no_soc = np.cos(k) + 0.5 * np.cos(2*k)
# SOCあり(分裂)
lambda_soc = 0.3 # SOC強度
E_soc_up = E_no_soc + lambda_soc * np.abs(np.sin(k))
E_soc_down = E_no_soc - lambda_soc * np.abs(np.sin(k))
return k, E_no_soc, E_soc_up, E_soc_down
k, E_no_soc, E_soc_up, E_soc_down = simulate_soc_band_splitting()
fig, (ax1, ax2) = plt.subplots(1, 2, figsize=(14, 6))
# SOCなし
ax1.plot(k/np.pi, E_no_soc, linewidth=2, color='blue', label='縮退バンド')
ax1.axhline(y=0, color='black', linestyle='--', linewidth=0.5)
ax1.set_xlabel('k [π/a]', fontsize=12)
ax1.set_ylabel('エネルギー [eV]', fontsize=12)
ax1.set_title('SOCなし', fontsize=14, fontweight='bold')
ax1.legend()
ax1.grid(True, alpha=0.3)
# SOCあり
ax2.plot(k/np.pi, E_soc_up, linewidth=2, color='red', label='スピンアップ')
ax2.plot(k/np.pi, E_soc_down, linewidth=2, color='blue', label='スピンダウン')
ax2.axhline(y=0, color='black', linestyle='--', linewidth=0.5)
ax2.set_xlabel('k [π/a]', fontsize=12)
ax2.set_ylabel('エネルギー [eV]', fontsize=12)
ax2.set_title('SOCあり', fontsize=14, fontweight='bold')
ax2.legend()
ax2.grid(True, alpha=0.3)
plt.tight_layout()
plt.savefig('soc_band_splitting.png', dpi=300, bbox_inches='tight')
plt.show()
# k=π/2での分裂エネルギー
idx = len(k) // 4
splitting = E_soc_up[idx] - E_soc_down[idx]
print(f"\n=== SOCによるバンド分裂 ===")
print(f"k=π/2での分裂: {splitting:.3f} eV")
超伝導の基礎
超伝導現象
臨界温度$T_c$以下で、電気抵抗がゼロになる現象です。1911年、Kamerlingh OnnesがHgで発見しました。
BCS理論(1957年)
Bardeen, Cooper, Schriefferによる微視的理論。電子がフォノン(格子振動)を媒介として引力を持ち、「Cooper対」を形成します。
Cooper対形成のメカニズム
- 電子Aが格子を歪ませる(正電荷を引き寄せる)
- 歪んだ格子が電子Bを引き寄せる
- 実効的に電子A-B間に引力が働く(フォノン媒介)
- 反対スピン・反対運動量の電子対が形成される($\mathbf{k}\uparrow, -\mathbf{k}\downarrow$)
超伝導ギャップ:
$$ \Delta(T) = \Delta_0 \tanh\left(1.74\sqrt{\frac{T_c - T}{T}}\right) $$$T=0$Kでのギャップ:
$$ \Delta_0 \approx 1.76 k_B T_c $$代表的な超伝導体
| 材料 | $T_c$ [K] | 種類 | 備考 |
|---|---|---|---|
| Hg(水銀) | 4.15 | Type I | 最初に発見された超伝導体 |
| Nb₃Sn | 18.3 | Type II | A15構造、磁石に使用 |
| YBa₂Cu₃O₇(YBCO) | 92 | 高温 | 銅酸化物、液体窒素温度以上 |
| MgB₂ | 39 | Type II | 単純構造、BCS理論で説明可能 |
| H₃S(高圧) | 203 | 高温 | 150 GPa、最高$T_c$記録 |
超伝導ギャップの温度依存性
import numpy as np
import matplotlib.pyplot as plt
def superconducting_gap(T, Tc):
"""
BCS理論による超伝導ギャップの温度依存性
Parameters:
-----------
T : array
温度 [K]
Tc : float
臨界温度 [K]
Returns:
--------
Delta : array
超伝導ギャップ [meV]
"""
k_B = 8.617e-5 # Boltzmann constant [eV/K]
# BCS理論の近似式
Delta_0 = 1.76 * k_B * Tc * 1000 # [meV]
Delta = np.zeros_like(T)
mask = T < Tc
Delta[mask] = Delta_0 * np.tanh(1.74 * np.sqrt((Tc - T[mask]) / T[mask]))
return Delta
# 各種超伝導体のT_c
materials = {
'Al': 1.2,
'Nb': 9.2,
'MgB₂': 39,
'YBCO': 92
}
T = np.linspace(0.1, 100, 500)
plt.figure(figsize=(10, 6))
for name, Tc in materials.items():
Delta = superconducting_gap(T, Tc)
plt.plot(T, Delta, linewidth=2, label=f'{name} ($T_c$={Tc}K)')
plt.xlabel('温度 [K]', fontsize=12)
plt.ylabel('超伝導ギャップ Δ(T) [meV]', fontsize=12)
plt.title('超伝導ギャップの温度依存性', fontsize=14, fontweight='bold')
plt.legend()
plt.grid(True, alpha=0.3)
plt.xlim(0, 100)
plt.tight_layout()
plt.savefig('superconducting_gap.png', dpi=300, bbox_inches='tight')
plt.show()
# Δ_0 / k_B T_c の検証(BCS理論では1.76)
for name, Tc in materials.items():
k_B = 8.617e-5
Delta_0 = 1.76 * k_B * Tc * 1000
ratio = Delta_0 / (k_B * Tc * 1000)
print(f"{name}: Δ₀/(kB·Tc) = {ratio:.2f}")
まとめ
この章で学んだこと
電気的性質
- Drudeモデルで電気伝導を理解:$\sigma = ne^2\tau/m^*$
- Hall効果でキャリア密度と移動度を測定できる
- 半導体は温度上昇で移動度が低下($\mu \propto T^{-3/2}$)
磁気的性質
- 磁性は反磁性、常磁性、強磁性、反強磁性、フェリ磁性に分類される
- スピン分極DFT計算(ISPIN=2)で磁気モーメントを予測できる
- スピン軌道相互作用(SOC)は重元素で重要、磁気異方性の起源
超伝導
- BCS理論:電子がCooper対を形成し、抵抗ゼロに
- 超伝導ギャップ:$\Delta_0 \approx 1.76 k_B T_c$
- 高温超伝導体(YBCO: 92K)は液体窒素温度以上で動作
次章への準備
- 第5章では、光学的・熱的性質を学びます
- 光吸収、バンドギャップ、フォノン、熱伝導を計算します
演習問題
演習1:Drudeモデルの適用(難易度:★☆☆)
問題:以下のデータから、電気伝導度と移動度を計算してください。
- 材料: n型Si半導体
- キャリア密度: $n = 1.0 \times 10^{22}$ m⁻³
- 緩和時間: $\tau = 0.1$ ps = $1.0 \times 10^{-13}$ s
- 有効質量: $m^* = 0.26 m_e$
ヒント:
- $\sigma = ne^2\tau/m^*$
- $\mu = e\tau/m^*$
- $e = 1.602 \times 10^{-19}$ C, $m_e = 9.109 \times 10^{-31}$ kg
解答:$\sigma \approx 1.08 \times 10^4$ S/m、$\mu \approx 674$ cm²/Vs
演習2:Hall効果によるキャリア判定(難易度:★★☆)
問題:ある半導体に1Tの磁場を印加し、Hall測定を行ったところ、Hall係数$R_H = +5.0 \times 10^{-4}$ m³/Cでした。
- キャリアは電子か正孔か?
- キャリア密度を計算せよ
- 電気伝導度が$\sigma = 100$ S/mのとき、移動度を計算せよ
解答:
- $R_H > 0$ なので正孔キャリア(p型半導体)
- $n = 1/(R_H \cdot e) = 1.25 \times 10^{22}$ m⁻³
- $\mu = R_H \cdot \sigma = 0.05$ m²/Vs = 500 cm²/Vs
演習3:磁気モーメントの計算(難易度:★★☆)
問題:Fe原子(BCC構造、a=2.87 Å)のスピン分極DFT計算を行い、以下の結果を得ました:
- スピンアップ電子数: 8.1個
- スピンダウン電子数: 5.9個
磁気モーメントを計算し、実験値(2.2 μB)と比較してください。
ヒント:$\mu = (N_\uparrow - N_\downarrow) \mu_B$
解答:$\mu = (8.1 - 5.9) \mu_B = 2.2 \mu_B$(実験値と一致)
演習4:超伝導ギャップの計算(難易度:★★☆)
問題:Nb(ニオブ)の臨界温度は$T_c = 9.2$Kです。
- $T = 0$Kでの超伝導ギャップ$\Delta_0$を計算せよ
- $T = 5$Kでの超伝導ギャップ$\Delta(5K)$を計算せよ
ヒント:
- $\Delta_0 = 1.76 k_B T_c$
- $\Delta(T) = \Delta_0 \tanh(1.74\sqrt{(T_c - T)/T})$
- $k_B = 8.617 \times 10^{-5}$ eV/K
解答:
- $\Delta_0 = 1.76 \times 8.617 \times 10^{-5} \times 9.2 = 1.40$ meV
- $\Delta(5K) = 1.40 \times \tanh(1.74\sqrt{(9.2-5)/5}) = 1.40 \times 0.87 = 1.22$ meV
演習5:VASPスピン分極計算の準備(難易度:★★★)
問題:反強磁性MnO(rocksalt構造、a=4.43 Å)のスピン分極DFT計算を準備してください。
- ASEでMnO構造を作成(2×2×2スーパーセル)
- Mn原子の初期磁気モーメントを交互に設定(±5.0 μB)
- INCARファイルを作成(ISPIN=2, MAGMOM設定)
- KPOINTSファイルを作成(6×6×6メッシュ)
評価基準:
- MAGMOMがMn原子のみに設定されているか
- Mn原子のスピンが交互配置になっているか
- O原子の初期磁気モーメントが0に設定されているか
演習6:磁化率の温度依存性(難易度:★★★)
問題:常磁性物質の磁化率は、Curie則に従います:
$$ \chi = \frac{C}{T} $$ここで、$C$はCurie定数です。以下のデータから、Curie定数を求めてください:
| 温度 [K] | 磁化率 $\chi$ [10⁻⁶] |
|---|---|
| 100 | 8.5 |
| 200 | 4.2 |
| 300 | 2.8 |
| 400 | 2.1 |
ヒント:$\chi$対$1/T$のプロットで直線の傾きがCurie定数
解答例:$C \approx 8.5 \times 10^{-4}$ K(線形フィット)
参考文献
- Ashcroft, N. W., & Mermin, N. D. (1976). "Solid State Physics". Harcourt College Publishers.
- Kittel, C. (2004). "Introduction to Solid State Physics" (8th ed.). Wiley.
- Blundell, S. (2001). "Magnetism in Condensed Matter". Oxford University Press.
- Tinkham, M. (2004). "Introduction to Superconductivity" (2nd ed.). Dover Publications.
- Bardeen, J., Cooper, L. N., & Schrieffer, J. R. (1957). "Theory of Superconductivity". Physical Review, 108, 1175.
- VASP manual: Magnetism and SOC - https://www.vasp.at/wiki/index.php/Magnetism